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IRFSL4615PBF

IRFSL4615PBF

MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
Numéro d'article
IRFSL4615PBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-262
Dissipation de puissance (maximum)
144W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
150V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
33A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1750pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IRFSL4615PBF
IRFSL4615PBF Composants électroniques
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