Acheter Infineon Technologies IRFSL4310ZPBF MOSFET N-CH 100V 120A TO-262

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IRFSL4310ZPBF

MOSFET N-CH 100V 120A TO-262

Numéro d'article

IRFSL4310ZPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package d'appareil du fournisseur

TO-262

Dissipation de puissance (maximum)

250W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

120A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 75A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6860pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 51780 PCS

Coordonnées

Produits connexes

IRFS11N50A

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK