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IRFSL4127PBF

MOSFET N-CH 200V 72A TO-262

Numéro d'article

IRFSL4127PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package d'appareil du fournisseur

TO-262

Dissipation de puissance (maximum)

375W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

72A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 44A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5380pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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