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IRFHM8363TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Numéro d'article

IRFHM8363TR2PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Puissance - Max

2.7W

Package d'appareil du fournisseur

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

14.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1165pF @ 10V

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