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IRFHM830TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

Numéro d'article

IRFHM830TR2PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-VQFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

PQFN (3x3)

Dissipation de puissance (maximum)

2.7W (Ta), 37W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

21A (Ta), 40A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.35V @ 50µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2155pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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