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IRFH8311TRPBF

MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6

Numéro d'article

IRFH8311TRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-TQFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

PQFN (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

3.6W (Ta), 96W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

32A (Ta), 169A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.1 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4960pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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