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IRFH7932TR2PBF

IRFH7932TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
Numéro d'article
IRFH7932TR2PBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerVDFN
Package d'appareil du fournisseur
PQFN (5x6) Single Die
Dissipation de puissance (maximum)
3.4W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
24A (Ta), 104A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
3.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4270pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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