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IRFH7914TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56

Numéro d'article

IRFH7914TR2PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

PQFN (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

3.1W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

15A (Ta), 35A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8.7 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1160pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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