Acheter Infineon Technologies IRFH5302DTRPBF MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IRFH5302DTRPBF

MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

Numéro d'article

IRFH5302DTRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

PQFN (5x6) Single Die

Dissipation de puissance (maximum)

3.6W (Ta), 104W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

29A (Ta), 100A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.5 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3635pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 41620 PCS

Coordonnées