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IRFH5010TRPBF

MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN

Numéro d'article

IRFH5010TRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

PQFN (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

3.6W (Ta), 250W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

13A (Ta), 100A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4340pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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