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IRFBA90N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Numéro d'article
IRFBA90N20DPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
Super-220™-3 (Straight Leads)
Package d'appareil du fournisseur
SUPER-220™ (TO-273AA)
Dissipation de puissance (maximum)
650W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
98A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 59A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6080pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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