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IRFB7434GPBF

MOSFET N CH 40V 195A TO220AB

Numéro d'article

IRFB7434GPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®, StrongIRFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220-3

Dissipation de puissance (maximum)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

195A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.6 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

324nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

10820pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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