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IRFB7430GPBF

IRFB7430GPBF

MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
Numéro d'article
IRFB7430GPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220AB
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
195A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
460nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
14240pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IRFB7430GPBF
IRFB7430GPBF Composants électroniques
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