Acheter Infineon Technologies IRFB3207PBF MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IRFB3207PBF

MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB

Numéro d'article

IRFB3207PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220AB

Dissipation de puissance (maximum)

330W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

75V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

170A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 75A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 7785 PCS

Coordonnées

Produits connexes

IRFB11N50A

MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB