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IRF9952TRPBF

IRF9952TRPBF

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Numéro d'article
IRF9952TRPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max
2W
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Type FET
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.5A, 2.3A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 15V
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Coordonnées
Mots-clés de IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBF Composants électroniques
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