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IRF9520NPBF

MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB

Numéro d'article

IRF9520NPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220AB

Dissipation de puissance (maximum)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6.8A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

480 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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