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IRF9335PBF

IRF9335PBF

MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-SO
Numéro d'article
IRF9335PBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Dissipation de puissance (maximum)
2.5W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
5.4A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
59 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.4V @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
386pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IRF9335PBF
IRF9335PBF Composants électroniques
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