Acheter Infineon Technologies IRF8302MTRPBF MOSFET N-CH 30V 31A MX

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IRF8302MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 31A MX

Numéro d'article

IRF8302MTRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric MX

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET™ MX

Dissipation de puissance (maximum)

2.8W (Ta), 104W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

31A (Ta), 190A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.8 mOhm @ 31A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6030pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 36859 PCS

Coordonnées