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IRF7902TRPBF

IRF7902TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
Numéro d'article
IRF7902TRPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max
1.4W, 2W
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
6.4A, 9.7A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
22.6 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.25V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.9nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
580pF @ 15V
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Mots-clés de IRF7902TRPBF
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