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IRF7855PBF

MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC

Numéro d'article

IRF7855PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

9.4 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.9V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1560pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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