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IRF7807D2TR

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Numéro d'article

IRF7807D2TR

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

FETKY™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Schottky Diode (Isolated)

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8.3A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Vgs (Max)

±12V

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