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IRF7707GTRPBF

MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP

Numéro d'article

IRF7707GTRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-TSSOP

Dissipation de puissance (maximum)

1.5W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

7A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2361pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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