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IRF7601PBF

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8

Numéro d'article

IRF7601PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Discontinued at Digi-Key

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

Micro8™

Dissipation de puissance (maximum)

1.8W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.7A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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