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IRF7309PBF

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

Numéro d'article

IRF7309PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Tube

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

1.4W

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Type FET

N and P-Channel

Fonctionnalité FET

Standard

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4A, 3A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 15V

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