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IRF6811STRPBF

MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET

Numéro d'article

IRF6811STRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric SQ

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET™ SQ

Dissipation de puissance (maximum)

2.1W (Ta), 32W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

19A (Ta), 74A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.7 mOhm @ 19A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1590pF @ 13V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±16V

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