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IRF6785MTRPBF

MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

Numéro d'article

IRF6785MTRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric MZ

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET™ MZ

Dissipation de puissance (maximum)

2.8W (Ta), 57W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.4A (Ta), 19A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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