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IRF6722STR1PBF

IRF6722STR1PBF

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Numéro d'article
IRF6722STR1PBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
DirectFET™ Isometric ST
Package d'appareil du fournisseur
DIRECTFET™ ST
Dissipation de puissance (maximum)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
13A (Ta), 58A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
7.3 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.4V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1320pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de IRF6722STR1PBF
IRF6722STR1PBF Composants électroniques
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