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IRF6718L2TRPBF

MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6

Numéro d'article

IRF6718L2TRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric L6

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET L6

Dissipation de puissance (maximum)

4.3W (Ta), 83W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

61A (Ta), 270A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

0.7 mOhm @ 61A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6500pF @ 13V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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