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IRF6668TR1

MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ

Numéro d'article

IRF6668TR1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric MZ

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET™ MZ

Dissipation de puissance (maximum)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

80V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

55A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.9V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1320pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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