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IRF6665TRPBF

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

Numéro d'article

IRF6665TRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric SH

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET™ SH

Dissipation de puissance (maximum)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.2A (Ta), 19A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

62 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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