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IRF6641TR1PBF

MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

Numéro d'article

IRF6641TR1PBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric MZ

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET™ MZ

Dissipation de puissance (maximum)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.6A (Ta), 26A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

59.9 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.9V @ 150µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2290pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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