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IRF6614

MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST

Numéro d'article

IRF6614

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric ST

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET™ ST

Dissipation de puissance (maximum)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12.7A (Ta), 55A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2560pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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