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IRF6613TRPBF

IRF6613TRPBF

MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Numéro d'article
IRF6613TRPBF
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
DirectFET™ Isometric MT
Package d'appareil du fournisseur
DIRECTFET™ MT
Dissipation de puissance (maximum)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
23A (Ta), 150A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
3.4 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5950pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de IRF6613TRPBF
IRF6613TRPBF Composants électroniques
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