Acheter Infineon Technologies IRF6609 MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

IRF6609

MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

Numéro d'article

IRF6609

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric MT

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET™ MT

Dissipation de puissance (maximum)

1.8W (Ta), 89W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

31A (Ta), 150A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2 mOhm @ 31A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.45V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6290pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 11274 PCS

Coordonnées