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IRF6607

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Numéro d'article

IRF6607

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric MT

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET™ MT

Dissipation de puissance (maximum)

3.6W (Ta), 42W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

27A (Ta), 94A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6930pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 7V

Vgs (Max)

±12V

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