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IRF6604TR1

MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

Numéro d'article

IRF6604TR1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

DirectFET™ Isometric MQ

Package d'appareil du fournisseur

DIRECTFET™ MQ

Dissipation de puissance (maximum)

2.3W (Ta), 42W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Ta), 49A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

11.5 mOhm @ 12A, 7V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2270pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 7V

Vgs (Max)

±12V

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