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IRF5810TR
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Numéro d'article
IRF5810TR
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Puissance - Max
960mW
Package d'appareil du fournisseur
6-TSOP
Type FET
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.9A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 16V
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