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IRF5806
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
Numéro d'article
IRF5806
Fabricant/Marque
Série
HEXFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareil du fournisseur
Micro6™(TSOP-6)
Dissipation de puissance (maximum)
2W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
86 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
594pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±20V
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