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IRF5803D2TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Numéro d'article
IRF5803D2TRPBF
Fabricant/Marque
Série
FETKY™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Dissipation de puissance (maximum)
2W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Tension drain-source (Vdss)
40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.4A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
112 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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