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IRF5801TRPBF

MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP

Numéro d'article

IRF5801TRPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur

Micro6™(TSOP-6)

Dissipation de puissance (maximum)

2W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

600mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.2 Ohm @ 360mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

88pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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