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IRF3205LPBF

MOSFET N-CH 55V 110A TO-262

Numéro d'article

IRF3205LPBF

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

HEXFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package d'appareil du fournisseur

TO-262

Dissipation de puissance (maximum)

200W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

110A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 62A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

146nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3247pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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