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IPT012N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8
Numéro d'article
IPT012N06NATMA1
Fabricant/Marque
Série
OptiMOS™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerSFN
Package d'appareil du fournisseur
PG-HSOF-8-1
Dissipation de puissance (maximum)
214W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
240A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.3V @ 143µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
124nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9750pF @ 30V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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