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IPL65R210CFDAUMA1

MOSFET N-CH 4VSON

Numéro d'article

IPL65R210CFDAUMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

4-PowerTSFN

Package d'appareil du fournisseur

PG-VSON-4

Dissipation de puissance (maximum)

151W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

16.6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

210 mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 700µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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