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IPD65R420CFDATMA1

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252

Numéro d'article

IPD65R420CFDATMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO252-3

Dissipation de puissance (maximum)

83.3W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8.7A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

420 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 300µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

31.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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