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IPD65R250E6XTMA1

MOSFET N-CH TO252-3

Numéro d'article

IPD65R250E6XTMA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™ E6

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO252-3

Dissipation de puissance (maximum)

208W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

16.1A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 400µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 1000V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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