Acheter Infineon Technologies IPD26N06S2L35ATMA2 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

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IPD26N06S2L35ATMA2

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Numéro d'article

IPD26N06S2L35ATMA2

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO252-3-11

Dissipation de puissance (maximum)

68W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

30A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 26µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

621pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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