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IPD14N06S280ATMA2
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
Numéro d'article
IPD14N06S280ATMA2
Fabricant/Marque
Série
OptiMOS™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
PG-TO252-3-11
Dissipation de puissance (maximum)
47W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
55V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
17A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 14µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
293pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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