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IPD135N03LGXT

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Numéro d'article

IPD135N03LGXT

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

PG-TO252-3

Dissipation de puissance (maximum)

31W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

30A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

13.5 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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