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IPD10N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
Numéro d'article
IPD10N03LA
Fabricant/Marque
Série
OptiMOS™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
PG-TO252-3
Dissipation de puissance (maximum)
52W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
25V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
30A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
10.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1358pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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