Acheter Infineon Technologies IPA80R650CEXKSA2 MOSFET N-CH 800V TO-220-3

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IPA80R650CEXKSA2

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

Numéro d'article

IPA80R650CEXKSA2

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

CoolMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Colis/Caisse

TO-220-3 Full Pack

Package d'appareil du fournisseur

TO-220-3F

Dissipation de puissance (maximum)

33W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

800V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.9V @ 470µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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